霍爾接近開關，當帶電流的金屬或半導體片層垂直放置在磁場中時，片層兩端會產(chǎn)生電位差。這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應。兩端的電位差稱為霍爾勢u，其表達式為u=kib/d，其中k為霍爾系數(shù)，I為通過薄板的電流，B為外加磁場的磁感應強度(洛倫茲力)，d為薄板的厚度。

可以看出，霍爾效應的靈敏度與外加磁場的磁感應強度成正比。霍爾元件屬于有源磁電轉(zhuǎn)換設備，是一種磁傳感器。它以霍爾效應原理為基礎，采用一體化封裝裝配工藝。在實際應用中，磁性輸入信號可以很容易地轉(zhuǎn)換為電信號。同時在工業(yè)應用中具有操作簡單、可靠性高的要求。霍爾開關就是利用霍爾元件的這一特性制成的。其輸入以磁感應強度B為特征，當B的值達到一定電平(如B1)時，內(nèi)部觸發(fā)霍爾開關被反轉(zhuǎn)，輸出電平狀態(tài)霍爾開關也被反轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出，類似于NPN、PNP、常開、常閉、鎖存式(雙極)及其他傳感器的雙信號輸出。霍爾開關具有無沖擊、功耗低、使用壽命長、響應頻率高的特點。它集成了環(huán)氧樹脂密封和填充，所以它可以在各種惡劣的環(huán)境中可靠地工作。當磁性物體靠近霍爾開關時，開關檢測面上的霍爾元件會產(chǎn)生霍爾效應，開關內(nèi)部電路狀態(tài)會發(fā)生變化，從而識別附近是否存在磁性物體，進而控制開關的通斷。接近開關檢測對象須是磁性物體。